在電子制造與半導(dǎo)體行業(yè)，微小缺陷的檢測直接關(guān)系到產(chǎn)品良率與可靠性。3D X-RAY無損透視設(shè)備通過非破壞性成像技術(shù)，可穿透材料表面，對內(nèi)部結(jié)構(gòu)進(jìn)行高精度分析，尤其適用于復(fù)雜封裝器件的缺陷定位。其核心原理基于X射線與物質(zhì)相互作用產(chǎn)生的衰減差異，通過探測器捕捉穿透后的射線信號，轉(zhuǎn)化為數(shù)字圖像后進(jìn)行三維重建，從而揭示內(nèi)部缺陷的形態(tài)與位置。

一、技術(shù)原理與核心參數(shù)
該設(shè)備采用開放管X射線源，電壓范圍25–160KV，管電流0.01–1.0mA，通過調(diào)節(jié)參數(shù)可適配不同密度材料的檢測需求。其管功率64W，標(biāo)靶功率分10W（標(biāo)配）與15W（高配）兩檔，高功率靶技術(shù)可提升射線強(qiáng)度，減少成像噪聲。設(shè)備配備310mm×310mm的測量范圍，支持2000倍幾何放大，結(jié)合高動態(tài)圖像處理算法，可實(shí)現(xiàn)<0.75μm的最小缺陷檢測能力，滿足SMT、半導(dǎo)體、IGBT、晶圓等高精度場景的需求。

二、典型應(yīng)用場景與檢測對象
在電子制造領(lǐng)域，該設(shè)備可檢測PCB板的焊點(diǎn)虛焊、橋接，以及PTH（通孔）內(nèi)部的裂紋；在半導(dǎo)體行業(yè)，能分析晶圓切割損傷、TSV（硅通孔）的填充缺陷；對于MEMS/MOEMS器件，可識別微機(jī)械結(jié)構(gòu)的形變或粘連；在IGBT模塊檢測中，可定位鍵合線脫落或芯片分層等失效模式。其非接觸式檢測方式避免了傳統(tǒng)破壞性取樣的局限性，尤其適用于高價(jià)值樣品的重復(fù)檢測。